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NVBG160N120SC1

Référence fabricant:	NVBG160N120SC1
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description:	TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Feuilles de données:	NVBG160N120SC1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q101
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vidange à la tension de source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	19.5A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	224mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.3V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	33.8 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	678 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	D2PAK-7
Paquet / caisse	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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