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FDS2170N3

Référence fabricant:	FDS2170N3
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Feuilles de données:	FDS2170N3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	PowerTrench®
Paquet	Bulk
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	3A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	128mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1.292 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-SOIC
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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