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SSR1N60BTM_F080

Référence fabricant:	SSR1N60BTM_F080
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Feuilles de données:	SSR1N60BTM_F080 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	900mA (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	215 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	D-Pak
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Modèles populaires

	SSR1N60BTM_F080 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	SSR1N60BTM-WS Rochester Electronics
	SSR1N60BTM Rochester Electronics
	SSR1N60BTF Rochester Electronics

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