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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / HN1C03FU-B,LF

HN1C03FU-B,LF

Référence fabricant: HN1C03FU-B,LF
Fabricant: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de transistor2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)300mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)20V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic100mV @ 3mA, 30A
Courant - Coupure du collecteur (max)100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce350 @ 4mA, 2V
Puissance - Max200mW
Fréquence - Transition30MHz
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de l'appareil fournisseurUS6
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État des stocks: 2960

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